Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 61 A 140 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 130-1005
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4510TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 130-1005
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4510TRLPBF
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 61A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 61A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.65 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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