Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 36 A 140 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
145-9569
Herst. Teile-Nr.:
IRL540NSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

74nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Breite

11.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


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