STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Entleerung / 100 A 420 W, 7-Pin H2PAK

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-5486
Herst. Teile-Nr.:
SCTW100N65G2AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.105Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

2.8V

Maximale Verlustleistung Pd

420W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Breite

5.15mm

Höhe

34.95mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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