Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 63 A 149 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 192-3507
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0030090K
- Hersteller:
- Wolfspeed
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 63 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 30 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.7V | |
| Verlustleistung max. | 149 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -8 V, 19 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 87 nC @ 4/15 V | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 5.21mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 23.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 63 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 900 V | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 30 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.7V | ||
Verlustleistung max. 149 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -8 V, 19 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 87 nC @ 4/15 V | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 5.21mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 23.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Mindestens 900 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben