Wolfspeed Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 10.7 A 469 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 248-8924
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0021120K
- Hersteller:
- Wolfspeed
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- 248-8924
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- C3M0021120K
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- Wolfspeed
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 162nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 469W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 23.63mm | |
| Breite | 16.13 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 162nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 469W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 23.63mm | ||
Breite 16.13 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Wolfspeeds Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET C3MTM MOSFET-Technologie bietet den N-Kanal-Enhancement-Modus. Wolfspeeds Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs sind eine Reihe von SiC-MOSFETs der zweiten Generation von Crees Leistungsabteilung Wolfspeed, die eine branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bieten. Diese Geräte mit geringer Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und haben einen geringeren Kühlungsbedarf, was die Betriebseffizienz des Gesamtsystems verbessert
siC-MOSFET-Technologie der 3. Generation
Niederohmiges Gehäuse mit Treiber-Source-Pin
8 mm Kriechstrecke zwischen Drain und Source
Hohe Sperrspannung mit geringem Durchlasswiderstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit mit geringen Kapazitäten
Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückwärtserholung (Qrr)
Halogenfrei, RoHS-konform
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