Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 10 A 35 W, 3-Pin TO-220FM

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RS Best.-Nr.:
772-5327P
Herst. Teile-Nr.:
2SK1808-E
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Gehäusegröße

TO-220FM

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Verlustleistung max.

35 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.45mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

17mm

N-Kanal-MOSFETs mit hoher Spannung, 150 V und mehr, Renesas Electronics



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)