Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 300 A 150 W, 3-Pin TO-3P
- RS Best.-Nr.:
- 772-5419P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3357-A
- Hersteller:
- Renesas Electronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 19 | € 4,33 |
| 20 - 49 | € 3,97 |
| 50 - 249 | € 3,68 |
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- 772-5419P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3357-A
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8,8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 15.7mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 20mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 300 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8,8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 170 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 15.7mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 20mm | ||
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