ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 70 A 262 W, 4-Pin TO-247-4

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RS Best.-Nr.:
191-8501
Herst. Teile-Nr.:
SCT3030ARC14
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

70 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-247-4

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

39 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.6V

Gate-Schwellenspannung min.

2.7V

Verlustleistung max.

262 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

22 V

Transistor-Werkstoff

SiC

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

104 nC @ 18 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

SCT3030AR ist ein SiC MOSFET mit Trenchgate-Struktur, ideal für Servernetzteile, Solarwechselrichter und Ladestationen für Elektrofahrzeuge. Ein 4-poliges Gehäuse, das die Terminal für Stromquelle und Terminal für Treiberquelle trennt, verbessert die Hochgeschwindigkeitsschaltleistung.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Schnelle Rückwärtswiederherstellung

Einfach zu parallel

Einfach anzutreiben

Bleifreie Leitungsbeschichtung

Hocheffizientes 4-poliges Gehäuse

Evaluierungsplatine "P02SCT3040KR-EVK-001"

Anwendung

Solarwechselrichter

DC/DC-Wandler

Getaktete Netzteile

Induktionsheizung

Motorantriebe

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