Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 49,2 A 400 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 125-0577P
- Herst. Teile-Nr.:
- TK49N65W5,S1F(S
- Hersteller:
- Toshiba
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 5 Stück (geliefert in Stange)*
€ 29,15
(ohne MwSt.)
€ 35,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 9 | € 5,83 |
| 10 - 24 | € 5,31 |
| 25 - 49 | € 5,22 |
| 50 + | € 5,16 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-0577P
- Herst. Teile-Nr.:
- TK49N65W5,S1F(S
- Hersteller:
- Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 49,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 57 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 400 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 5.02mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 15.94mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 185 nC @ 10 V | |
| Höhe | 20.95mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 49,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie DTMOSIV | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 57 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 400 W | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 5.02mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 15.94mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 185 nC @ 10 V | ||
Höhe 20.95mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.7V | ||
MOSFET-Transistoren, Toshiba