Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,2 A 60 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
125-0589P
Herst. Teile-Nr.:
TK6Q60W,S1VQ(S
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6,2 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Serie

DTMOSIV

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

820 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Gate-Schwellenspannung min.

2.7V

Verlustleistung max.

60 W

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 V

Länge

6.65mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

2.3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

7.12mm

Diodendurchschlagsspannung

1.7V

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