Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 25 A 180 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
125-0557P
Herst. Teile-Nr.:
TK25N60X,S1F(S
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

DTMOSIV

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

125 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

180 W

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.02mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

40 nC @ 10 V

Länge

15.94mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

20.95mm

Diodendurchschlagsspannung

1.7V

MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba



MOSFET-Transistoren, Toshiba