STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
188-8527
Herst. Teile-Nr.:
STB80NF55-06T4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

142nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.35 mm

Länge

10.4mm

Höhe

4.37mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

Anwendungsorientierte Charakterisierung

Anwendungen

Schaltanwendung

Anwendungen

Schaltanwendung

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