STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 70 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-8283
- Herst. Teile-Nr.:
- STB43N65M5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
€ 5.806,00
(ohne MwSt.)
€ 6.967,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | € 5,806 | € 5.806,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8283
- Herst. Teile-Nr.:
- STB43N65M5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 630mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.35mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 630mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.37mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.35mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedriger RDS(on)
Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Ausgezeichnetes Schaltvermögen
Anwendungen
Schaltanwendungen
Verwandte Links
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics N-Kanal 7-Pin Band und Rolle