STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 70 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

€ 5.987,00

(ohne MwSt.)

€ 7.184,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +€ 5,987€ 5.987,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-8283
Herst. Teile-Nr.:
STB43N65M5
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

630mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.37mm

Breite

9.35 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedriger RDS(on)

Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

Anwendungen

Schaltanwendungen

Verwandte Links