STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 70 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
188-8512
Herst. Teile-Nr.:
STB43N65M5
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

630mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.37mm

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedriger RDS(on)

Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

Anwendungen

Schaltanwendungen

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