STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 5 A 96 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 188-8455
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5NM60T4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
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- STD5NM60T4
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- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 6.2mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 6.2mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MDmesh ist eine neue revolutionäre Leistungs-MOSFET-Technologie, die den Mehrfachablassprozess mit dem horizontalen Layout des Unternehmens PowerMESH verbindet. Das resultierende Produkt verfügt über eine hervorragende geringe Einschaltbeständigkeit, beeindruckend hohe dv/dt und ausgezeichnete Lawineneigenschaften. Die Einführung der proprietären Streifentechnik des Unternehmens sorgt für insgesamt dynamische Leistungen.
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Hohe dv/dt- und Lawinenfähigkeit
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Anwendungen
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