onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 10 A 2.5 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
145-4317
Herst. Teile-Nr.:
FQU13N10LTU
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

IPAK

Serie

QFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.7nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.1mm

Automobilstandard

Nein

QFET® N-Kanal-MOSFET, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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