STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 85 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
188-8286
Herst. Teile-Nr.:
STD11N65M2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

680mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

100nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

85W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.17mm

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

Nein

Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurden. Dank ihres Streifenlayouts und ihrer verbesserten vertikalen Struktur weisen diese Geräte einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf, wodurch sie für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet sind.

Sehr geringe Gate-Ladung

Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (COSS)

Zenerdioden-geschützt

Anwendungen

Schaltanwendungen

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