STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 85 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

€ 2.040,00

(ohne MwSt.)

€ 2.447,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +€ 0,816€ 2.040,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-8286
Herst. Teile-Nr.:
STD11N65M2
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

680mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

100nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

85W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.17mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.2 mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurden. Dank ihres Streifenlayouts und ihrer verbesserten vertikalen Struktur weisen diese Geräte einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf, wodurch sie für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet sind.

Sehr geringe Gate-Ladung

Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (COSS)

Zenerdioden-geschützt

Anwendungen

Schaltanwendungen

Verwandte Links