Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A, 3-Pin TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-9026
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N06S2L09ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Das Produkt ist gemäß AEC Q101 für den Kfz-Bereich zugelassen

100 % Lawinenprüfung

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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