Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 50 A 136 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-4377
Herst. Teile-Nr.:
IPD50N06S2L13ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.42 mm

Länge

6.65mm

Höhe

2.35mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet hohe Strombelastbarkeit und niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es wurde zu 100 % auf Lawinenbildung getestet.

Optimierte Gesamtladefunktion ermöglicht kleinere Treiberausgangsstufen

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