Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
165-5971
Herst. Teile-Nr.:
IPD30N08S2L21ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
CN

Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFET-Produktfamilie


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

N-Kanal - Anreicherungstyp

Kfz AEC Q101 zugelassen

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

grünen Paket (bleifrei)

Extrem niedriger RDS(on)

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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