STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
103-1567
Herst. Teile-Nr.:
STB80NF55L-06T4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

STripFET II

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

100nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.6mm

Breite

9.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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