STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-8284
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80NF55-06T4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
€ 1.142,00
(ohne MwSt.)
€ 1.370,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 05. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 1,142 | € 1.142,00 |
| 2000 + | € 1,054 | € 1.054,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8284
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80NF55-06T4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 142nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Breite | 9.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 142nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.37mm | ||
Breite 9.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
Anwendungsorientierte Charakterisierung
Anwendungen
Schaltanwendung
Anwendungen
Schaltanwendung
Verwandte Links
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II N-Kanal 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Einfach STripFET II N-Kanal 1 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin TO-263
