Infineon BSC040N08NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin TDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-1969
Herst. Teile-Nr.:
BSC040N08NS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

BSC040N08NS5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.88V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.49mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.35 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS 5 80 V Leistungs-MOSFET, speziell entwickelt für synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile. Darüber hinaus kann das Gerät auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Höchste Systemeffizienz

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Niederspannungs-/Überschwingen

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