Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 167 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0912
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC100N08S5N031ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0912
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC100N08S5N031ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IAUC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, DIN IEC 68-1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IAUC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, DIN IEC 68-1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS-5 von Infineon verfügt über einen N-Kanal-Erweiterungsmodus. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.
AEC-qualifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow