Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 167 W, 8-Pin TDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-0912
Herst. Teile-Nr.:
IAUC100N08S5N031ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

IAUC

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, DIN IEC 68-1

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-5 von Infineon verfügt über einen N-Kanal-Erweiterungsmodus. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.

AEC-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

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