Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 167 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
258-0922
Herst. Teile-Nr.:
IAUC120N06S5N017ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IAUC

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

74nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-5 von Infineon ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Die Betriebstemperatur beträgt 175 °C.

Grünes Produkt (RoHS-konform)

100 % Lawinengeprüft

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