Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 82 A 74 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
220-7355
Herst. Teile-Nr.:
BSC061N08NS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

82A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Länge

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.

Optimiert für Hochleistungs-SMPS, z. B. sync.rec.

100 % Lawinengeprüft

Überlegener Wärmewiderstand

N-Kanal

QualifiedaccordingtoJEDEC1) für Zielanwendungen

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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