Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
754-5241
Herst. Teile-Nr.:
BSC028N06LS3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

132nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

139W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Breite

6.1 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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