Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
906-4347
Herst. Teile-Nr.:
BSC047N08NS3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.1mm

Höhe

1.1mm

Breite

5.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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