Teile-Nr.

Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.8 A 60 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 133-2801
Herst. Teile-Nr.:: TK7P65W,RQ(S
Hersteller:: Toshiba

Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.8 A 60 W, 3-Pin TO-252

Vorübergehend ausverkauft

RS Best.-Nr.:: 133-2801
Herst. Teile-Nr.:: TK7P65W,RQ(S
Hersteller:: Toshiba

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	DTMOSIV
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	800mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	-1.7V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	15nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	60W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	2.3mm
	Breite	6.1 mm
	Länge	6.6mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie DTMOSIV
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf -1.7V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 60W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 2.3mm
	Breite 6.1 mm
	Länge 6.6mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: JP

Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.8 A 60 W, 3-Pin TO-252

MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba

MOSFET-Transistoren, Toshiba

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