Toshiba DTMOSIV N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 5.8 A 60 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 133-2800
- Herst. Teile-Nr.:
- TK6P65W,RQ(S
- Hersteller:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 133-2800
- Herst. Teile-Nr.:
- TK6P65W,RQ(S
- Hersteller:
- Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.05Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Breite | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie DTMOSIV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Breite 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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