Teile-Nr.

Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 133-2804
Herst. Teile-Nr.:: TK8P60W5,RVQ(S
Hersteller:: Toshiba

Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin TO-252

Vorübergehend ausverkauft

RS Best.-Nr.:: 133-2804
Herst. Teile-Nr.:: TK8P60W5,RVQ(S
Hersteller:: Toshiba

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	DTMOSIV
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	560mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Maximale Verlustleistung Pd	80W
	Durchlassspannung Vf	-1.7V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.6mm
	Höhe	2.3mm
	Breite	6.1 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie DTMOSIV
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 560mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Maximale Verlustleistung Pd 80W
	Durchlassspannung Vf -1.7V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.6mm
	Höhe 2.3mm
	Breite 6.1 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: JP

Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin TO-252

MOSFET-N-Kanal, TK8- und TK9-Serie, Toshiba

MOSFET-Transistoren, Toshiba

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