Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 30.8 A 230 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
125-0563
Herst. Teile-Nr.:
TK31E60X,S1X(S
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

DTMOSIV

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

88mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.16mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.45 mm

Höhe

15.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba


MOSFET-Transistoren, Toshiba


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