Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 896-2331
Herst. Teile-Nr.:: TK31J60W5,S1VQ(O
Hersteller:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-3PN

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Herst. Teile-Nr.:: TK31J60W5,S1VQ(O
Hersteller:: Toshiba

TK31J60W5, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	31 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	TK
Gehäusegröße	TO-3PN
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	99 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Verlustleistung max.	230 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	15.5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	105 nC @ 10 V
Höhe	20mm

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-3PN

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MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba

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