Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 15.8 A 130 W, 3-Pin TO-3P

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RS Best.-Nr.:
891-2917
Herst. Teile-Nr.:
TK16J60W,S1VQ(O
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-3P

Serie

DTMOSIV

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20mm

Länge

15.5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET-Transistoren, Toshiba


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