Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 10 μA 55 W, 3-Pin TO-252

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

€ 12,65

(ohne MwSt.)

€ 15,175

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 50€ 0,506€ 12,65
75 - 125€ 0,434€ 10,85
150 - 275€ 0,392€ 9,80
300 - 600€ 0,36€ 9,00
625 +€ 0,343€ 8,58

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
174-4116
Herst. Teile-Nr.:
TK8P25DA,RQ(S
Hersteller:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10μA

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

500mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Maximale Verlustleistung Pd

55W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.3mm

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Toshiba MOSFET ist ein Silizium-N-Kanal-MOS mit 3-poligem und SMD-Montagetyp.

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

Niedriger Leckstrom

Verwandte Links