Microchip Halbbrücke mSiC N-Kanal, Kühlkörper SiC-Leistungsmodul 3300 V Erweiterungsmodus / 295 A 1918 W
- RS Best.-Nr.:
- 854-512
- Herst. Teile-Nr.:
- MSCSM330AM07CD3NG
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 295A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 3300V | |
| Serie | mSiC | |
| Montageart | Kühlkörper | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1918W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 295A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 3300V | ||
Serie mSiC | ||
Montageart Kühlkörper | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1918W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Siliziumkarbid-Stromversorgungsmodul von Microchip zeichnet sich in Hochleistungsanwendungen aus und bietet außergewöhnliche Spannungsverarbeitung und kontinuierliche Ablassstromfähigkeiten für anspruchsvolle Umgebungen.
Robuste thermische Zuverlässigkeit gewährleistet optimale Leistung bei hohen Temperaturen
Integrierte Schottky-Diode bietet eine Null-Umkehr-Wiederherstellung und verbessert das Schaltverhalten
Entwickelt mit einer Kelvin-Quellenkonfiguration für vereinfachte Gate-Ansteuerung
Kompaktes, isoliertes Gehäuse ermöglicht die direkte Montage an Kühlkörpern