Infineon FF4000 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 3300 V / 500 A 20 mW AG-XHP2K33
- RS Best.-Nr.:
- 351-986
- Herst. Teile-Nr.:
- FF4000UXTR33T2M1BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 2.513,21
(ohne MwSt.)
€ 3.015,85
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 1 Einheit(en) mit Versand ab 06. August 2026
- Zusätzlich 1 Einheit(en) mit Versand ab 03. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | € 2.513,21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-986
- Herst. Teile-Nr.:
- FF4000UXTR33T2M1BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 3300V | |
| Gehäusegröße | AG-XHP2K33 | |
| Serie | FF4000 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 5.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | |
| Höhe | 40mm | |
| Länge | 140mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 3300V | ||
Gehäusegröße AG-XHP2K33 | ||
Serie FF4000 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 5.8V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | ||
Höhe 40mm | ||
Länge 140mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon CoolSiC MOSFET-Halbbrückenmodul ist für Anwendungen mit hoher Leistung ausgelegt. Es verfügt über eine Bemessungsspannung von 3,3 kV und .XT-Verbindungstechnologie, die eine verbesserte Effizienz und eine längere Lebensdauer gewährleistet. Dieses Modul ist ideal für die Dekarbonisierung von Verkehrsmitteln, Fahrantrieben und Wechselrichtern mit hoher Leistung.
Energieeffizienz
Hohe Leistungsdichte
Erhöhte Lebensdauer
Verwandte Links
- Infineon DDB2U, Schraubanschlussklemme MOSFET 20 mW AG-EASY1B-1
- Infineon Doppelt FF6MR Typ N-Kanal 1, Fahrgestell MOSFET 1200 V Erweiterung / 250 A 20 mW AG-62MM
- Infineon FF6MR Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 150 A 20 mW AG-EASY2B.
- Infineon F3L6MR Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 375 A 20 mW AG-EASY2B.
- Infineon IGBT-Modul / 70 A Einfach, 650 V 20 mW AG-EASY3B
- Infineon IGBT-Modul / 300 A Halbbrücke, 750 V 20 mW AG-EASY2B. Leiterplattenmontage
- Infineon IGBT / 75 A Vollbrücke, 1200 V 20 mW AG-EASY2B-711 Fahrgestell
- Infineon IGBT / 35 A 3-phasig, 1200 V 20 mW AG-EASY2B-711 Fahrgestell
