Infineon Doppelt FF6MR Typ N-Kanal 1, Fahrgestell MOSFET 1200 V Erweiterung / 250 A 20 mW AG-62MM

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*

€ 5.002,71

(ohne MwSt.)

€ 6.003,25

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
10 +€ 500,271€ 5.002,71

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4795
Herst. Teile-Nr.:
FF6MR12KM1BOSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

AG-62MM

Serie

FF6MR

Montageart

Fahrgestell

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.81mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

5.85V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Halbbrückenmodul mit 62 mm, 1200 V, 6 mΩ und Cool Sic TM MOSFET.

Hohe Stromdichte

Niedrige Schaltverluste

Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit

Höchste Robustheit gegen Feuchtigkeit

Robuste integrierte Gehäusediode und damit optimale thermische Bedingungen

Verwandte Links