Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max. Dual, 1200 V 2 kW AG-62MM-1 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
111-6085
Herst. Teile-Nr.:
FF400R12KE3HOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

580 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

2

Verlustleistung max.

2 kW

Gehäusegröße

AG-62MM-1

Konfiguration

Serie

Montage-Typ

Tafelmontage

Channel-Typ

N

Transistor-Konfiguration

Serie

Abmessungen

106.4 x 61.4 x 30.9mm

Gate-Kapazität

28nF

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Infineon IGBT-Modul, 580 A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - FF400R12KE3HOSA1


Dieses IGBT-Modul wurde entwickelt, um die Leistung in verschiedenen industriellen Anwendungen zu verbessern. Mit Abmessungen von 106,4 x 61,4 x 30,9 mm kombiniert er hohe Effizienz mit robusten Spezifikationen und bietet einen maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom von 580 A und eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V. Sein Design ermöglicht eine effektive Integration in leistungselektronische Schaltungen und ist damit die ideale Wahl für alle, die zuverlässige modulare IGBT-Lösungen benötigen.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximale Gate-Emitter-Spannung von ±20 V bietet betriebliche Flexibilität
• Hohe Verlustleistung von 2 kW für anspruchsvolle Anforderungen
• Konzipiert für den Schalttafeleinbau, um eine einfache Installation in verschiedenen Umgebungen zu gewährleisten
• Die Serienkonfiguration optimiert den Platzbedarf und die betriebliche Effizienz

Anwendungen


• Verwendung in Wechselrichterschaltungen für Industriemaschinen
• Optimiert für Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien, wie z. B. Solarwechselrichter
• Effektiv in Elektrofahrzeugen und Antriebssystemen
• Einsatz in schweren Automatisierungsanlagen, bei denen hohe Ströme unerlässlich sind

Wie hoch ist der Wärmewiderstand für dieses Modul?


Der Wärmewiderstand von der Anschlussstelle zum Gehäuse beträgt 0,062 K/W und vom Gehäuse zum Kühlkörper 0,031 K/W, was eine effektive Wärmeableitung während des Betriebs gewährleistet.

Wie verhält sich dieses IGBT-Modul bei unterschiedlichen Temperaturen?


Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +125°C und einer minimalen Temperatur von -40°C eignet er sich für unterschiedliche Umgebungsbedingungen und anspruchsvolle Anwendungen.

Welche Auswirkungen hat der hohe Kollektorstrom?


Mit einem maximalen Kollektor-Dauerstrom von 580 A kann dieses IGBT-Modul erhebliche Leistungslasten bewältigen und ist damit ideal für Hochstrom-IGBT-Anwendungen in industriellen Umgebungen.

Kann dieses Modul schnelle Schaltvorgänge effektiv verarbeiten?


Ja, die niedrige Gate-Kapazität von 28nF und die spezifizierten Gate-Drive-Fähigkeiten ermöglichen ein effizientes, schnelles Schalten, wodurch die Leistung von leistungselektronischen Komponenten in Schaltungen erhöht wird.


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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