Infineon IGBT-Modul / 580 A, 1200 V 2000 W AG-62MM-1 Typ N-Kanal Klemme

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RS Best.-Nr.:
166-0902
Herst. Teile-Nr.:
FF400R12KE3HOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

580A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

2000W

Gehäusegröße

AG-62MM-1

Montageart

Klemme

Kabelkanaltyp

Typ N

Schaltgeschwindigkeit

0.04μs

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Serie

62_MMC

Länge

106.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

30.9mm

Breite

61.4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
HU

Infineon IGBT-Modul, 580 A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - FF400R12KE3HOSA1


Dieses IGBT-Modul wurde entwickelt, um die Leistung in verschiedenen industriellen Anwendungen zu verbessern. Mit Abmessungen von 106,4 x 61,4 x 30,9 mm kombiniert er hohe Effizienz mit robusten Spezifikationen und bietet einen maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom von 580 A und eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V. Sein Design ermöglicht eine effektive Integration in leistungselektronische Schaltungen und ist damit die ideale Wahl für alle, die zuverlässige modulare IGBT-Lösungen benötigen.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximale Gate-Emitter-Spannung von ±20 V bietet betriebliche Flexibilität

• Hohe Verlustleistung von 2 kW für anspruchsvolle Anforderungen

• Konzipiert für den Schalttafeleinbau, um eine einfache Installation in verschiedenen Umgebungen zu gewährleisten

• Die Serienkonfiguration optimiert den Platzbedarf und die betriebliche Effizienz

Anwendungen


• Verwendung in Wechselrichterschaltungen für Industriemaschinen

• Optimiert für Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien, wie z. B. Solarwechselrichter

• Effektiv in Elektrofahrzeugen und Antriebssystemen

• Einsatz in schweren Automatisierungsanlagen, bei denen hohe Ströme unerlässlich sind

Wie hoch ist der Wärmewiderstand für dieses Modul?


Der Wärmewiderstand von der Anschlussstelle zum Gehäuse beträgt 0,062 K/W und vom Gehäuse zum Kühlkörper 0,031 K/W, was eine effektive Wärmeableitung während des Betriebs gewährleistet.

Wie verhält sich dieses IGBT-Modul bei unterschiedlichen Temperaturen?


Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +125°C und einer minimalen Temperatur von -40°C eignet er sich für unterschiedliche Umgebungsbedingungen und anspruchsvolle Anwendungen.

Welche Auswirkungen hat der hohe Kollektorstrom?


Mit einem maximalen Kollektor-Dauerstrom von 580 A kann dieses IGBT-Modul erhebliche Leistungslasten bewältigen und ist damit ideal für Hochstrom-IGBT-Anwendungen in industriellen Umgebungen.

Kann dieses Modul schnelle Schaltvorgänge effektiv verarbeiten?


Ja, die niedrige Gate-Kapazität von 28nF und die spezifizierten Gate-Drive-Fähigkeiten ermöglichen ein effizientes, schnelles Schalten, wodurch die Leistung von leistungselektronischen Komponenten in Schaltungen erhöht wird.

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