Infineon Doppelt FF6MR Typ N-Kanal 1, Fahrgestell MOSFET 1200 V Erweiterung / 250 A 20 mW AG-62MM

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RS Best.-Nr.:
222-4796
Herst. Teile-Nr.:
FF6MR12KM1BOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

FF6MR

Gehäusegröße

AG-62MM

Montageart

Fahrgestell

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.81mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

5.85V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Halbbrückenmodul mit 62 mm, 1200 V, 6 mΩ und Cool Sic TM MOSFET.

Hohe Stromdichte

Niedrige Schaltverluste

Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit

Höchste Robustheit gegen Feuchtigkeit

Robuste integrierte Gehäusediode und damit optimale thermische Bedingungen

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