STMicroelectronics MDmesh K5 N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET 1200 V Erweiterungsmodus / 6 A 165 W, 3-Pin H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 814-401
- Herst. Teile-Nr.:
- ST2H8N120K5AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.65Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 165W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 10.98mm | |
| Länge | 10.98mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 15.55mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.65Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 165W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 10.98mm | ||
Länge 10.98mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 15.55mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics bietet eine zuverlässige Hochspannungsleistung für anspruchsvolle Anwendungen und gewährleistet optimale Effizienz und Leistungsdichte in Automobilumgebungen.
Automotive-Grade, AEC-Q101-qualifiziert für erhöhte Zuverlässigkeit
Extrem niedrige Gate-Ladung und sehr niedrige Leistungsfaktor für geringere Verlustleistung
1200 V maximale Ablass-Quellenspannung mit einem maximalen Ablassstrom von 6 A
Entwickelt mit Advanced MDmesh K5-Technologie für überlegene thermische Leistung