STMicroelectronics MDmesh K5 N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET 1200 V Erweiterungsmodus / 6 A 165 W, 3-Pin H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:
814-401
Herst. Teile-Nr.:
ST2H8N120K5AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Serie

MDmesh K5

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.65Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Verlustleistung Pd

165W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.98mm

Höhe

15.55mm

Breite

10.98mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics bietet eine zuverlässige Hochspannungsleistung für anspruchsvolle Anwendungen und gewährleistet optimale Effizienz und Leistungsdichte in Automobilumgebungen.

Automotive-Grade, AEC-Q101-qualifiziert für erhöhte Zuverlässigkeit

Extrem niedrige Gate-Ladung und sehr niedrige Leistungsfaktor für geringere Verlustleistung

1200 V maximale Ablass-Quellenspannung mit einem maximalen Ablassstrom von 6 A

Entwickelt mit Advanced MDmesh K5-Technologie für überlegene thermische Leistung

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