STMicroelectronics SiC MOSFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 20 A 150 W, 3-Pin H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:
201-4416
Herst. Teile-Nr.:
SCT20N120H
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

H2PAK-2

Serie

SiC MOSFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

203mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.8mm

Höhe

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.7mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Das SiC-Material hat hervorragende thermische Eigenschaften.

Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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