STMicroelectronics SiC MOSFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 150 W, 3-Pin H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:
201-4416
Herst. Teile-Nr.:
SCT20N120H
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SiC MOSFET

Gehäusegröße

H2PAK-2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

203mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.8mm

Höhe

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Das SiC-Material hat hervorragende thermische Eigenschaften.

Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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