STMicroelectronics STB37N60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 12 A 250 W, 3-Pin H2PAK

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RS Best.-Nr.:
233-3040
Herst. Teile-Nr.:
STH12N120K5-2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK

Serie

STB37N60

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

690mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Breite

15.8 mm

Höhe

4.8mm

Automobilstandard

Nein

Die STMicroelectronics-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden mit der Mdmesh TM K5-Technologie auf der Basis einer innovativen proprietären vertikalen Struktur entwickelt. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

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