STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 180 A 315 W, 3-Pin H2PAK-2

RS Best.-Nr.:: 792-5855
Herst. Teile-Nr.:: STH270N8F7-2
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 180 A 315 W, 3-Pin H2PAK-2

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Herst. Teile-Nr.:: STH270N8F7-2
Hersteller:: STMicroelectronics

STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7, N-Channel 80V, 0.0017 Ohm typ., 180A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Serie	STripFET H7
Gehäusegröße	H2PAK-2
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	21 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	315 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	15.8mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	193 nC bei 10 V
Länge	10.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	4.8mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 180 A 315 W, 3-Pin H2PAK-2

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N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

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