STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-6549
Herst. Teile-Nr.:
STB100N10F7
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

STripFET H7

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.35mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.6mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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