STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-6549
Herst. Teile-Nr.:: STB100N10F7
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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STD100N10F7, STF100N10F7, STP100N10F7, N-Channel 100V, 0.0068 Ohm typ., 80A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	STripFET H7
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	61 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

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