STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 792-5713
Herst. Teile-Nr.:: STD25N10F7
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: STD25N10F7
Hersteller:: STMicroelectronics

STD25N10F7, STF25N10F7, STP25N10F7, N-Channel 100V, 0.027 Ohm typ., 25A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	25 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	STripFET H7
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	35 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	40 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.6mm
Breite	6.2mm
Höhe	2.4mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

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