STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 1500 V / 2,5 A 140 W, 3-Pin H2PAK-2

RS Best.-Nr.:: 792-5861
Herst. Teile-Nr.:: STH3N150-2
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 1500 V / 2,5 A 140 W, 3-Pin H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:: 792-5861
Herst. Teile-Nr.:: STH3N150-2
Hersteller:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	2,5 A
Drain-Source-Spannung max.	1500 V
Gehäusegröße	H2PAK-2
Serie	MDmesh
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	9 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	140 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	15.8mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	29,3 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	4.8mm

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 1500 V / 2,5 A 140 W, 3-Pin H2PAK-2

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N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

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