Microchip MSCSMC N-Kanal, Direkt MOSFET-Module 1.2 kV Erweiterungsmodus / 236 A 604 W, 33-Pin Modul

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RS Best.-Nr.:
931-017
Herst. Teile-Nr.:
MSCSMC120AM04TBZ2EG
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET-Module

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

236A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

Modul

Serie

MSCSMC

Montageart

Direkt

Pinanzahl

33

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

726nC

Gate-Source-spannung max Vgs

21V

Maximale Verlustleistung Pd

604W

Durchlassspannung Vf

4.7V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

16.4mm

Breite

62.8mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

56.7mm

Automobilstandard

Nein

Das fortschrittliche Siliziumkarbid-Leistungsmodul von Microchip bietet außergewöhnliche Leistung in hocheffizienten Anwendungen, insbesondere in anspruchsvollen Umgebungen, die ein robustes Energiemanagement und thermische Fähigkeiten erfordern.

SiC-Technologie gewährleistet geringe Schalt- und Leitungsverluste

Integrierter Thermistor ermöglicht eine effektive Temperaturüberwachung

Niedriger Wärmewiderstand ermöglicht effiziente Wärmeableitung

Extrem geringes Gewicht und Profil tragen zur Designflexibilität bei

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