onsemi NVM Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 384 A 157 W, 5-Pin DFNW-5
- RS Best.-Nr.:
- 648-518
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS0D63N04XMT1G
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
€ 6,77
(ohne MwSt.)
€ 8,124
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 1 500 Einheit(en) mit Versand ab 09. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,385 | € 6,77 |
| 20 - 98 | € 2,095 | € 4,19 |
| 100 - 198 | € 1,21 | € 2,42 |
| 200 + | € 1,18 | € 2,36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 648-518
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS0D63N04XMT1G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 384A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFNW-5 | |
| Serie | NVM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.78V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 157W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 92.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 384A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFNW-5 | ||
Serie NVM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.78V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 157W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 92.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der ON Semiconductor Automotive Power MOSFET in einem 5 x 6 mm Flachkabelgehäuse wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und umfasst eine hohe thermische Leistung. Belüftbare Flanke-Option für verbesserte optische Inspektion. Qualifizierter AEC-Q101-MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.
Kleine Abmessungen
Niedriger RDS(ein)
Niedrige QG und Kapazität
Belüftbare Flanke-Option
RoHS-Konformität